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Objetivo de cristal único de Si, tipo N, sin dopar 4"x0.25", sin pulir R:1000 ohm.cm- TG-GaN15D30CN
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Objetivo de ZnS, 99,99 %, 4" de diámetro x 1/8" con placa trasera de cobreSiguiente:
Objetivo PbS con respaldo de cobre y placa de revestimiento, pureza: 99,99 %
Detalles del producto
Objetivo de cristal único de Si, tipo N, sin dopar 4"x0.25", sin pulir R:>1000 ohm.cm- TG-GaN15D30CN
- Material: Si monocristalino, sin dopar
- Orientación: N/A
- Tamaño: 4" de diámetro x 0.25" de espesor
- Pulido de la superficie: sin pulir
- Resistividad: gt; 1000 ohm.cm
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