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Objetivo de cristal único de silicio, tipo N, sin dopar, (100) ori., 3'' de diámetro x 6,0 mm, rectificado fino, R1000 ohm.cm-TG-SiU76D60CN
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Objetivo de cristal único de Si, dopado con P (100) 3" x 4,0 mm, sin pulir-TG-SiPa76D40CNSiguiente:
Objetivo de ZnS, 99,99 %, 4" de diámetro x 1/8" con placa trasera de cobre
Detalles del producto
Objetivo de cristal único de silicio, tipo N, sin dopar, (100) de origen, 3'' de diámetro x 6,0 mm, rectificado fino, R>1000 ohm.cm-TG-SiU76D60CN
- Material: monocristal de Si, tipo N, sin dopar
- Orientación: (100)
- Tamaño: 3" diámetro x 6,0 mm de espesor
- Pulido de la superficie: tierra fina
- Resistividad: gt; 1000 ohm.cm
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